LED防爆燈芯片制造工藝流程中，什么工藝流程對(duì)其光學(xué)性能有較為關(guān)鍵的危害?

一般來(lái)說(shuō)，LED防爆燈外延性生產(chǎn)制造進(jìn)行以后她的關(guān)鍵電性能已定形，芯片制造不對(duì)其產(chǎn)甞核天性更改，但在表層的鍍膜、細(xì)晶強(qiáng)化全過(guò)程中不適當(dāng)?shù)臉?biāo)準(zhǔn)會(huì)導(dǎo)致一些電主要參數(shù)的欠佳。例如細(xì)晶強(qiáng)化溫度稍低或偏高都是會(huì)導(dǎo)致歐姆接觸欠佳，歐姆接觸欠佳是芯片制造中導(dǎo)致順向壓力降VF偏高的關(guān)鍵緣故。在激光切割后，假如對(duì)芯片邊沿開(kāi)展一些浸蝕加工工藝，對(duì)改進(jìn)芯片的反方向走電會(huì)出現(xiàn)不錯(cuò)的協(xié)助。這是由于用金剛石砂輪刀頭激光切割后，芯片邊沿會(huì)殘余較多的碎渣粉末狀，這種假如粘在LED防爆燈芯片的PN結(jié)處便會(huì)導(dǎo)致走電，乃至?xí)霈F(xiàn)穿透狀況。此外，假如芯片表層光刻技術(shù)脫離不干凈，可能導(dǎo)致正臉焊線難與空焊等狀況。如果是反面也會(huì)導(dǎo)致壓力降偏高。在芯片加工過(guò)程中根據(jù)表層鈍化處理、劃為梯形構(gòu)造等方法能夠提升光照強(qiáng)度。

LED防爆燈芯片為何要分為不一樣規(guī)格?規(guī)格尺寸對(duì)LED防爆燈光學(xué)性能有什么危害?

LED防爆燈芯片尺寸依據(jù)輸出功率可分成小輸出功率芯片、中輸出功率芯片和大功率芯片。依據(jù)顧客規(guī)定可分成多管級(jí)、數(shù)碼科技級(jí)、點(diǎn)陣式級(jí)及其裝飾設(shè)計(jì)照明燈具等類(lèi)型。對(duì)于芯片的實(shí)際規(guī)格尺寸是依據(jù)不一樣芯片生產(chǎn)商的具體生產(chǎn)制造水準(zhǔn)而定，沒(méi)有實(shí)際的規(guī)定。要是加工工藝通關(guān)，芯片小生提升企業(yè)產(chǎn)出率并控制成本，光學(xué)性能并不會(huì)產(chǎn)生根本變化。芯片的應(yīng)用電流量事實(shí)上與穿過(guò)芯片的電流強(qiáng)度相關(guān)，芯片小應(yīng)用電流量小，芯片大應(yīng)用電流量大，他們的企業(yè)電流強(qiáng)度基礎(chǔ)類(lèi)似。充分考慮排熱是大電流量下的關(guān)鍵難題，因此它的發(fā)亮高效率比小電流量低。另一方面，因?yàn)榭偯娣e擴(kuò)大，芯片的體電阻器會(huì)減少，因此正指導(dǎo)通工作電壓會(huì)有一定的降低。

LED防爆燈大功率芯片一般指多大規(guī)模的芯片?為何?

用以白光燈的LED防爆燈大功率芯片一般在銷(xiāo)售市場(chǎng)上能夠見(jiàn)到的都會(huì)40mil上下，說(shuō)白了的大功率芯片的應(yīng)用輸出功率一般就是指額定功率在1W之上。因?yàn)榱孔有室话愕陀?0%絕大多數(shù)電磁能會(huì)轉(zhuǎn)化成能源，因此大功率芯片的排熱很重要，規(guī)定芯片有很大的總面積。

生產(chǎn)制造GaN外延性原材料的芯片加工工藝和生產(chǎn)設(shè)備與GaP、GaAs、InGaAlP對(duì)比有什么不一樣的規(guī)定?為何?

一般的LED防爆燈綠黃芯片和高亮度四元綠黃芯片的基鋼板都選用GaP、GaAs等化學(xué)物質(zhì)半導(dǎo)體器件，一般都能夠制成N型襯底。選用濕式加工工藝開(kāi)展光刻技術(shù)，比較后用金剛沙輪刀頭切成芯片。GaN原材料的綠藍(lán)芯片是用的藍(lán)色寶石襯底，因?yàn)樗{(lán)色寶石襯底是絕緣層的，因此不可以做為L(zhǎng)ED防爆燈的一個(gè)極，務(wù)必根據(jù)干法刻蝕的加工工藝在外延性表面另外制做P/N2個(gè)電級(jí)而且也要根據(jù)一些鈍化工藝。因?yàn)樗{(lán)色寶石有點(diǎn)硬，用金剛沙輪刀頭難以劃為芯片。它的加工工藝全過(guò)程一般要比GaP、GaAs原材料的LED防爆燈多而繁雜。